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    推薦食品的真空和真空充氣軟包裝

    食品的真空和真空充氣軟包裝

    真空包裝:將食品裝入包裝袋,抽出包裝袋內的空氣,達到預定真空度后,完成封口工序。真空充氣包裝:將食品裝入包裝袋,抽出包裝袋內空氣達到預定真空度后,再充入氮氣或其它混合氣體,然后完成封口工序。

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      等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)技術基礎

      等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。

    • 用真空壓縮袋收納棉被的方法

      用真空壓縮袋收納棉被的方法

      真空壓縮袋主要用于裝棉被和各種衣服類的一種袋子。 本文教你怎么用真空壓縮袋收納被子、羽絨服等物品的方法。

    • 什么是無尾抽真空保溫杯技術?

      什么是無尾抽真空保溫杯技術?

      真空保溫杯能夠起到保溫效果的最重要因素之一就是抽真空。“無尾真空”是目前國內外最先進的工藝技術之一,即器皿在真空的環境條件下,由計算機控制完成抽氣、封焊、冷卻的工藝過程。

    • 不銹鋼真空保溫杯生產工藝流程

      不銹鋼真空保溫杯生產工藝流程

      不銹鋼保溫杯由內外雙層不銹鋼制造而成,利用焊接技術把內膽和外殼結合在一起,再用真空技術把內膽與外殼的夾層中的空氣給抽出來以達到真空保溫的效果。

    • 不是所有的衣物被褥都適合用壓縮袋收納

      不是所有的衣物被褥都適合用壓縮袋收納

      并不是所以的衣物被褥都適合使用真空壓縮袋進行收納,容易出現壓痕或褶皺難以恢復的衣物。

    • 真空吸盤的真空負壓吸附原理

      真空吸盤的真空負壓吸附原理

      真空吸盤采用了真空原理,即用真空負壓來“吸附”工件以達到夾持工件的目的。

    • 食品的真空和真空充氣軟包裝

      食品的真空和真空充氣軟包裝

      真空包裝:將食品裝入包裝袋,抽出包裝袋內的空氣,達到預定真空度后,完成封口工序。真空充氣包裝:將食品裝入包裝袋,抽出包裝袋內空氣達到預定真空度后,再充入氮氣或其它混合氣體,然后完成封口工序。

    • 果蔬類食品的真空預冷方法原理和真空預冷裝置

      果蔬類食品的真空預冷方法原理和真空預冷裝置

      預冷是指食品從初始溫度(30℃左右)迅速降至所需要的終點溫度(0~15℃)的過程,冷卻以及快速凍結前的快速冷卻工序稱為預冷;而冷卻則是將食品溫度降至高于凍結溫度的過程。

    • 調制周期對TiB2/TiAlN納米多層膜機械性能的影響

      調制周期對TiB2/TiAlN納米多層膜機械性能的影響

      利用射頻磁控濺射技術,在室溫下合成了具有納米調制周期的TiB2/TiAlN多層膜.分別采用表面輪廓儀、納米力學測試系統、多功能材料表面性能實驗儀和XRD,分析了調制周期對TiB2/TiAlN納米多層膜機械性能的影響.

    • 離子束流和基底溫度對ZrN/TiAlN納米多層膜性能的影響

      離子束流和基底溫度對ZrN/TiAlN納米多層膜性能的影響

      大部分多層膜的納米硬度與彈性模量值都高于兩種個體材料硬度的平均值,當輔助束流為5 mA時,多層膜硬度達到30.6 GPa.基底溫度的升高,會顯著降低薄膜的殘余應力,但對薄膜的硬度,摩擦系數沒有明顯影響.

    • 脈沖輝光PECVD制備DLC薄膜的結構和性能研究

      脈沖輝光PECVD制備DLC薄膜的結構和性能研究

      類金剛石碳膜以其優異的性能,諸如高電阻率、高硬度、低摩擦系數、良好的光學特性等顯示出良好的應用前景,越來越受到人們的關注.本文利用脈沖輝光PECVD在不同的脈沖電壓下成功地制備了DIE薄膜.

    • AZ31鎂合金表面復合鍍膜工藝研究

      AZ31鎂合金表面復合鍍膜工藝研究

      研究了在AZ31鎂合金表面依次進行浸鋅、化學鍍鎳、電鍍銅、電弧離子鍍Cr/CaN的復合鍍膜工藝。

    • 工藝參數和熱處理溫度對ZrW2O8薄膜制備的影響

      工藝參數和熱處理溫度對ZrW2O8薄膜制備的影響

      隨著濺射功率的增加,薄膜沉積速率增加;而隨著工作氣壓的增加,薄膜沉積速率先增加后減小;磁控濺射沉積制備的ZrW20s薄膜為非晶態,表面平滑、致密。

    • 非平衡磁控濺射沉積TiN/Ti-O復合薄膜機械性能研究

      非平衡磁控濺射沉積TiN/Ti-O復合薄膜機械性能研究

      利用非平衡磁控濺射設備,采用四種不同的TiN到Ti-O的過渡方式,在Si(100)和Ti6A14V基體上制備了TiN/Ti-O薄膜.結果表明,在鈦合金表面制備TiN薄膜后,逐漸降低N2流量至0 sccm,沉積一層Ti膜,再用逐漸通入O2制備Ti-O薄膜的

    • 生長參數對Si1-xGex:C合金薄膜中元素分布的影響

      生長參數對Si1-xGex:C合金薄膜中元素分布的影響

      通過能量色散譜儀喬(EDS)和掃描電子顯微鏡(SEM)對合金薄膜的元素深度分布和表面形貌進行了表征,分析研究了外延層的生長溫度、生長時間對Si1-xGex:C合金薄膜性質的影響.

    • TiC薄膜的性能研究

      TiC薄膜的性能研究

      采用磁過濾直流電弧離子鍍法在不同的CH4分壓下制備了一系列的TiC薄膜,利用XRD和EDX表征了薄膜的相組成和微結構,用MCMS-1摩擦磨損測試儀,研究了不同CH4分壓對薄膜摩擦性能的影響,采用DURAMIN-10型丹麥全自動顯微硬度

    • 靶電流對電弧離子鍍TiAlN膜層組織及成分的影響

      靶電流對電弧離子鍍TiAlN膜層組織及成分的影響

      在不同基材上沉積的膜層表面形貌存在差異;兩種工藝在不同的基材上沉積的膜層中N、Al和Ti元素呈梯度分布,可明顯的觀察到界面處存在這三種元素的互擴散,使膜層與基體間形成冶金結合。

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